| 판정 | TNID (MeV/g) | 의미 |
|---|---|---|
| 허용 | < 한계치 | 변위 손상 허용 범위 내 |
| 주의 | 한계 50~100% | 성능 저하 가능 — 마진 검토 |
| 위험 | > 한계치 | 암전류 급증, hFE 열화 예상 |
| 소자 유형 | TID 한계 (krad) | 주요 열화 메커니즘 |
|---|---|---|
| 상용 CMOS | 1–10 | 산화막 전하 트래핑 |
| RHBD CMOS | 300–1000 | 계면 준위 생성 |
| Bipolar | 10–100 | ELDRS (저선량률 효과) |
| GaN HEMT | 100–1000 | AlGaN 장벽층 열화 |
| SiC MOSFET | 10–100 | SiO₂/SiC 계면 손상 |
| NAND Flash | 1–5 | 플로팅 게이트 전하 손실 |
| Si 태양전지 | 200–500 | 소수 캐리어 수명 감소 |
| 소재 | NIEL₀ (×10⁻³) | Si 대비 비 | 주요 응용 |
|---|---|---|---|
| Si | 3.30 | 1.00 | CMOS, SRAM |
| GaAs | 6.57 | 1.99 | RF, 광소자 |
| GaN | 1.09 | 0.33 | 전력, RF HEMT |
| SiC | 1.68 | 0.51 | 전력 MOSFET |
| Ge | 8.88 | 2.69 | SiGe HBT |
| InP | 10.99 | 3.33 | 광통신 |
| 표준/도구 | 용도 |
|---|---|
| MIL-STD-750 | 반도체 방사선 시험 방법 |
| ESCC 22900 | TID 시험 표준 (ESA) |
| JESD57 | SEE 시험 표준 (JEDEC) |
| SPENVIS NIEL | 궤도별 NIEL/TNID 정밀 계산 |
| MULASSIS | Geant4 기반 차폐 분석 |
| SHIELDOSE-2 | TID 차폐 선량 계산 |