⚠ NIEL 잠정치 표시(†): SiGe BiCMOS, GaN HEMT(전력/RF), SiC MOSFET, InP HBT는 개별 소재 NIEL이 SR-NIEL로 아직 재검증되지 않은 Si 교정 배율 기반 잠정치입니다. 점수표에 †로 표시된 소자의 NIEL 내성 점수 및 종합 점수는 참고용으로만 사용하고, 정밀 평가는 niel-tid.html 및 sr-niel.org 직접 계산으로 재확인하십시오.

⚠ NIEL 내성 지표 임시 비활성화: 12개 소자 전수 문헌 조사 결과, 신뢰할 수 있는 TNID 한계값(niel_lim)을 확정할 수 있는 소자가 없어 종합 점수 계산에서 NIEL 항목을 제외했습니다(SEE 57% + TID 43%로 재가중). 디지털 CMOS 계열(SRAM/Flash/RHBD)은 TNID가 인정된 열화 기전이 아니라 "해당없음"으로, GaN/SiC/GaAs/InP/SiGe 계열은 소재 NIEL 또는 파트별 열화 임계값이 아직 검증되지 않아 "검증대기"로 표시됩니다. 문헌 근거가 확보되는 대로 순차 반영 예정입니다.

모델 기준 (P-fixed 2026-XX): SEE 발생률 — CREME96 (Tylka 1997) + Petersen FOM (Petersen 1998 IEEE TNS 45). NIEL — O'Brien 2016 (ATR-2016-03268), SR-NIEL(sr-niel.org) 직접 실행 검증 (NIEL_Si@10MeV=9.43e-3 MeV·cm²/g; GaAs=6.9443e-3 검증 완료). SiGe/GaN/SiC/InP는 잠정치(†) — niel-tid.html 참조. TID — SHIELDOSE-2 (Seltzer 1994 NISTIR 5477). 차폐 Al 2.54mm (100 mil, ECSS-E-ST-10-04C 표준). 종합 점수(0~100)는 SEE 40% + NIEL 30% + TID 30% 가중 합산. 정밀 설계에는 CREME-MC·SPENVIS 사용 권장.